| 发明名称 | 含环糊精化合物的形成光刻用下层膜的组合物 | ||
| 摘要 | 本发明的课题在于提供，在制造半导体器件的光刻工艺中使用的，具有比光致抗蚀剂大的干蚀刻速度，不发生与光致抗蚀剂的混合，用于形成在半导体基板上的孔填充性优异的下层膜的形成光刻用下层膜组合物。本发明的形成光刻用下层膜的组合物，含有环糊精的羟基总数的10％～90％变为醚基或酯基的环糊精化合物、交联性化合物、交联催化剂和溶剂。 | ||
| 申请公布号 | CN101048705A | 申请公布日期 | 2007.10.03 |
| 申请号 | CN200580037032.8 | 申请日期 | 2005.10.25 |
| 申请人 | 日产化学工业株式会社 | 发明人 | 竹井敏;新城彻也;桥本圭祐 |
| 分类号 | G03F7/11(2006.01);H01L21/027(2006.01) | 主分类号 | G03F7/11(2006.01) |
| 代理机构 | 北京市中咨律师事务所 | 代理人 | 段承恩;田欣 |
| 主权项 | 1.一种形成光刻用下层膜的组合物，其特征在于，含有环糊精化合物的羟基总数的10％～90％已被转化成式(1)所示的基团的环糊精化合物、交联性化合物、交联催化剂和溶剂，-O-R1(1)式(1)中，R1表示可以被选自卤素、碳原子数为1～6的烷氧基、苯基、氰基、和硝基中的基团取代的碳原子数为1～10的烷基或芳香基，或式(2)所示基团，式(2)中，R2表示可以被选自卤素、碳原子数为1～6的烷氧基、苯基、氰基、和硝基中的基团取代的碳原子数为1～10的烷基或芳香基。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||