| 发明名称 | 与半导体元件的上面电极电连接的方法和结构 | ||
| 摘要 | 本发明公开一种与半导体元件的上面电极电连接的结构以及制造这种结构的方法。与上面电极电连接的结构(10)包括具有横向尺寸的第一电极(50)、在第一电极上面的半导体元件(14)、以及在半导体元件上面的第二电极(30)。第二电极(30)具有比第一电极(50)的横向尺寸小的横向尺寸。导电硬掩模(42)覆盖在第二电极上面并且与第二电极电连接。导电硬掩模(42)具有与第一电极的横向尺寸基本相等的横向尺寸。导电接触元件(56)与导电硬掩模电连接。 | ||
| 申请公布号 | CN101048883A | 申请公布日期 | 2007.10.03 |
| 申请号 | CN200580036418.7 | 申请日期 | 2005.10.25 |
| 申请人 | 飞思卡尔半导体公司 | 发明人 | 布赖恩·R.·布彻;格雷戈里·W.·格里克威驰;科利·W.·凯勒;肯尼斯·H.·史密斯;理查德·G.·威廉姆斯 |
| 分类号 | H01L43/00(2006.01);H01L21/00(2006.01) | 主分类号 | H01L43/00(2006.01) |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 康建峰 |
| 主权项 | 1.一种与半导体元件上面的电极电连接的结构，该结构包括：具有第一横向尺寸的第一电极；在所述第一电极上面的半导体元件；在所述半导体元件上面的第二电极，所述第二电极具有比所述第一电极的所述第一横向尺寸小的第二横向尺寸；在所述第二电极上面的并与所述第二电极电连接的导电硬掩模，所述导电硬掩模具有与所述第一电极的所述第一横向尺寸基本相等的第三横向尺寸；以及与所述导电硬掩模电连接的导电接触元件。 | ||
| 地址 | 美国得克萨斯 | ||