| 发明名称 | 一种纳米碳管复合场发射源及其制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种纳米碳管复合场发射源，包括在衬底上生长作为电子场发射源的纳米碳管膜，所述的衬底是导电纤维编织绳或编织布，该编织物的纤维直径范围为1～20μm。该复合场发射源的制备方法如下：在常温和常压条件下利用声化学方法制备纳米碳管，采用离心分离和过滤、表面活性超声分散、化学腐蚀、选择性氧化和超声刻蚀等方法对纳米碳管进行纯化和剪切，通过电泳沉积法将经纯化和剪切后的纳米碳管牢固地沉积在导电纤维编织绳或编织布上，形成纳米碳管复合场发射源。本发明的复合场发射源具有极高的场增强因子，可降低场发射器件的工作电压和能耗。本发明的制备方法简单，易于工业化生产。 | ||
| 申请公布号 | CN101047086A | 申请公布日期 | 2007.10.03 |
| 申请号 | CN200610066306.2 | 申请日期 | 2006.03.28 |
| 申请人 | 北京汉纳源纳米科技有限公司 | 发明人 | 冯孙齐 |
| 分类号 | H01J1/304(2006.01);H01J29/04(2006.01);H01J9/02(2006.01);C01B31/02(2006.01) | 主分类号 | H01J1/304(2006.01) |
| 代理机构 | 北京泛华伟业知识产权代理有限公司 | 代理人 | 高存秀 |
| 主权项 | 1.一种纳米碳管复合场发射源，由衬底和在衬底上沉积的作为电子场发射源的纳米碳管膜组成，其特征在于，所述的衬底是导电纤维编织物，所述的编织物包括编织绳或编织布，该编织物的纤维直径范围为1～20μm。 | ||
| 地址 | 100102北京市朝阳区望京中环南路甲2号佳境天成大厦B座12层 | ||