制备长波长大应变铟镓砷/铟镓砷磷量子阱激光器的方法

摘要

一种制备长波长大应变铟镓砷/铟镓砷磷量子阱激光器的方法，包括如下步骤：步骤1：在n型磷化铟衬底上外延生长磷化铟缓冲层；步骤2：采用PECVD法在磷化铟缓冲层上生长二氧化硅层，光刻制备出两条形的掩模图形；步骤3：采用MOCVD法在磷化铟缓冲层上外延生长激光器结构；步骤4：在激光器结构上制备布拉格光栅；步骤5：在布拉格光栅上二次外延光限制层和接触层；步骤6：光刻，形成脊型波导；步骤7：在脊型波导的两侧及上面和激光器结构的表面生长二氧化硅层；步骤8：腐蚀掉脊型波导上面的二氧化硅层，形成电极窗口；步骤9：在器件的整个上表面溅射钛/铂/金；步骤10：背面减薄，蒸发金/锗/镍n面电极，完成器件的制作。

主权项

1.一种制备长波长大应变铟镓砷/铟镓砷磷量子阱激光器的方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1：在n型磷化铟衬底上外延生长磷化铟缓冲层；步骤2：采用PECVD法在磷化铟缓冲层上生长二氧化硅层，光刻制备出两条形的掩模图形；步骤3：采用MOCVD法在磷化铟缓冲层上外延生长激光器结构；步骤4：在激光器结构上制备布拉格光栅；步骤5：在布拉格光栅上二次外延光限制层和接触层；步骤6：光刻，形成脊型波导；步骤7：在脊型波导的两侧及上面和激光器结构的表面生长二氧化硅层；步骤8：腐蚀掉脊型波导上面的二氧化硅层，形成电极窗口；步骤9：在器件的整个上表面溅射钛/铂/金；步骤10：背面减薄，蒸发金/锗/镍n面电极，完成器件的制作。