| 发明名称 | 半导体装置及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种半导体装置及其制造方法，其能提高散热性。半导体装置(10)包括：半导体基板(11)、搭载在半导体基板(11)上表面的散热器(17)及在半导体基板(11)下表面形成的配线(14)等。散热器(17)搭载在半导体基板(11)上表面，其平面大小与半导体基板(11)大体相同。另外，散热器(17)的厚度为500μm～2mm，也可以形成为比半导体基板(11)厚。通过由散热器(17)加强，半导体基板(11)可以变薄到例如50μm左右，因此，其结果可以使半导体装置(10)整体变薄。 | ||
| 申请公布号 | CN101047155A | 申请公布日期 | 2007.10.03 |
| 申请号 | CN200710088984.3 | 申请日期 | 2007.03.29 |
| 申请人 | 三洋电机株式会社 | 发明人 | 吉见英章;梅本光雄;恩田和美;堀中和己 |
| 分类号 | H01L23/367(2006.01);H01L21/50(2006.01) | 主分类号 | H01L23/367(2006.01) |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 陶凤波 |
| 主权项 | 1.一种半导体装置，其特征在于，包括：半导体基板，其具有第一主面和第二主面，所述第一主面形成有与电路元件电连接的电极，所述第二主面与所述第一主面相对；散热器，其搭载在所述第二主面上，具有与所述半导体基板相等的平面大小。 | ||
| 地址 | 日本大阪府 | ||