| 发明名称 | 磁性随机存取存储器 | ||
| 摘要 | 一种MRAM存储器，它具有：一包括磁致电阻存储器元件(6a，6b)的存储器单元阵列(2)，上述磁致电阻存储器元件设置在半导体衬底上(4)的至少一个存储器单元层中；字线(7)和位线(8，9)，用于与存储器单元阵列(2)中的磁致电阻存储器元件(6a，6b)相连接，和一驱动逻辑装置(5a，5b，5c)，用于通过字线和位线(7，8，9)驱动存储器单元阵列(2)中的磁致电阻存储器元件(6a，6b)，该驱动逻辑装置(5a，5b，5c)集成在半导体衬底(4)中和其上的存储器单元阵列(2)的下面。 | ||
| 申请公布号 | CN100341073C | 申请公布日期 | 2007.10.03 |
| 申请号 | CN01120714.0 | 申请日期 | 2001.04.12 |
| 申请人 | 因芬尼昂技术股份公司 | 发明人 | H·舒斯特尔－沃尔丹;S·施瓦茨尔 |
| 分类号 | G11C11/15(2006.01) | 主分类号 | G11C11/15(2006.01) |
| 代理机构 | 北京康信知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 余刚;李丙林 |
| 主权项 | 1.一种磁性随机存取存储器，它具有：(a)一包括磁致电阻存储器元件(6a，6b)的存储器单元阵列(2)，上述磁致电阻存储器元件设置在半导体衬底(4)上的至少一个存储器单元层中，(b)字线(7)和位线(8，9)，用于与存储器单元阵列(2)中的磁致电阻存储器元件(6a，6b)相连接，其中，位线(8，9)和字线(7)彼此垂直，并且存储器元件(6a，6b)各自设置在一条字线(7)和交叉的位线(8，9)之间；(c)一驱动逻辑装置(5a，5b，5c)，用于通过位线和字线(7，8，9)驱动存储器单元阵列(2)中的磁致电阻存储器元件(6a，6b)，该驱动逻辑装置(5a，5b，5c)集成在半导体衬底(4)中和其上的存储器单元阵列(2)的下面；(d)其中，每个字线(7)和每个位线(8)通过对应的线驱动晶体管连接到驱动逻辑装置(5a，5b，5c)；以及(e)其中，用于将数据写入到存储器单元阵列(2)的存储器元件(6a，6b)中的驱动逻辑装置(5a，5b，5c)控制对应的字线驱动晶体管(28)和位线驱动晶体管(13，21)，对应的存储器元件(6a，6b)在所述字线(7)和所述位线(8，9)之间。 | ||
| 地址 | 联邦德国慕尼黑 | ||