| 发明名称 | 非晶硅层结晶方法、阵列基板、液晶显示器及其制造方法 | ||
| 摘要 | 用于液晶(LCD)显示器的阵列基板的制造方法，包括：在具有显示区和包围显示区的非显示区的基板上形成对准键；对准键上形成非晶硅层；用对准键作基准，结晶非晶硅层的预定部分；用对准键作基准，对非晶硅层进行构图，形成多晶硅层，其中，多晶硅层用非晶硅层的预定部分形成；在半导体层上形成栅绝缘层；用对准键作基准，在栅绝缘层上形成栅极；在栅极上形成隔层绝缘层和在隔层绝缘层上形成源极和漏极。 | ||
| 申请公布号 | CN100340911C | 申请公布日期 | 2007.10.03 |
| 申请号 | CN200410046199.8 | 申请日期 | 2004.06.02 |
| 申请人 | LG.菲利浦LCD株式会社 | 发明人 | 徐铉植;金荣柱;金商铉 |
| 分类号 | G02F1/136(2006.01);H01L21/00(2006.01) | 主分类号 | G02F1/136(2006.01) |
| 代理机构 | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 | 代理人 | 徐金国;祁建国 |
| 主权项 | 1、一种液晶显示器的阵列基板的制造方法，包括：在具有显示区和非显示区的基板上形成对准键，其中，非显示区包围显示区；在对准键上形成非晶硅层；用对准键作基准，结晶非晶硅层的预定部分；用对准键作基准，对非晶硅层进行构图，形成多晶硅层，其中，多晶硅层用非晶硅层的预定部分形成；在多晶硅层上形成栅绝缘层；用对准键作基准，在栅绝缘层上形成栅极；在栅极上形成隔层绝缘层；和在隔层绝缘层上形成源极和漏极。 | ||
| 地址 | 韩国首尔 | ||