发明名称 IMPROVED MAGNETIC RAM AND ARRAY ARCHITECTURE USING A TWO TRANSISTOR, ONE MTJ CELL
摘要
申请公布号 SG135016(A1) 申请公布日期 2007.09.28
申请号 SG20040004214 申请日期 2004.01.29
申请人 TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING COMPANY LTD 发明人 LIN WEN-CHIN;TANG DENNY D.;CHIH YU DER
分类号 G11C11/00;G11C11/02;G11C11/15;G11C11/16;H01L43/08;(IPC1-7):G11C11/16 主分类号 G11C11/00
代理机构 代理人
主权项
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