发明名称 Piezoelektrische Dünnschichtvorrichtung
摘要 Eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist es, eine piezoelektrische Dünnschichtvorrichtung bereitzustellen, die einen einzelnen oder eine Vielzahl von akustischen Schicht-Volumen-Resonatoren umfasst, wobei eine Frequenz-Impedanz-Eigenschaft gegenüber einer Störung unempfindlich ist. In einem akustischen Schicht-Volumen-Resonator wird eine piezoelektrische Dünnschicht durch ein Auflagesubstrat über eine Haftschicht getragen. Eine obere Elektrode und eine untere Elektrode, die jeweils ein vorbestimmtes Muster aufweisen, sind auf oberen und unteren Oberflächen der piezoelektrischen Dünnschicht ausgebildet. Ferner ist auf der oberen Oberfläche der piezoelektrischen Dünnschicht eine zusätzliche Schicht zum Hinzufügen einer Masse zu einer Außenseite eines Anregungsbereichs überlagert auf der oberen Elektrode ausgebildet.
申请公布号 DE102007000117(A1) 申请公布日期 2007.09.27
申请号 DE20071000117 申请日期 2007.02.27
申请人 NGK INSULATORS LTD. 发明人 OSUGI, YUKIHISA;YAMAGUCHI, SHOICHIRO;TAI, TOMOYOSHI
分类号 H03H9/15;H01L41/09;H01L41/18;H01L41/22;H01L41/253;H01L41/29;H01L41/313;H03H9/17 主分类号 H03H9/15
代理机构 代理人
主权项
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