Verfahren zur Erzeugung eines gezielt dotierten Bereichs in einer Halbleiterschicht unter Verwendung von Aus-Diffusion und entsprechendes Halbleiterbauelement

摘要

Das erfindungsgemäße Verfahren bezieht sich auf die Erzeugung eines gezielt dotierten Bereichs in einer auf einem Trägersubstrat aufgewachsenen Halbleiterschicht, die sich anschließend vom Trägersubstrat ablösen lässt (Schichttransfer-Prozess). Die Erfindung nutzt das Trägersubstrat und/oder darauf aufgebrachte Schichten (1) als Quelle für Dotierstoffe. Während des Schichtwachstums oder durch nachträgliche Temperaturbehandlung wandern Dotierstoffe aus dem Trägersubstrat (1) in die wachsende Halbleiterschicht (3). Dadurch entsteht auf der dem Trägersubstrat zugewandten Seite der wachsenden Schicht ein gezielt dotierter Bereich (4). Art und/oder Konzentration der Dotierung dieses Bereichs (4) können sich von der der gewachsenen Schicht (3) unterscheiden. Durch geeignete Wahl der Dotierstoffquelle (1) und der Dotierung der Halbleiterschicht (3) ermöglicht die Erfindung die Realisierung von sowohl p- als auch n-leitenden gezielt dotierten Bereichen (4) in p- oder n-leitenden Halbleiterschichten (3). Dies erlaubt die Herstellung von pn-Übergängen und p/p+ oder n/n+ Schichtfolgen. Nach dem Schichttransfer (dem Ablösen der Halbleiterschicht vom Trägersubstrat) erhält man ein Halbleiterbauelement, das einen gezielt dotierten Bereich aufweist. Kennzeichnend ist, dass die für die Erzeugung des gezielt dotierten Bereichs benötigten Dotierstoffe vom Trägersubstrat zur Verfügung gestellt werden.