发明名称 |
Zweidimensinale Profilierung von Dotierungsprofilen einer Materialprobe mittels Rastersondenmikroskopie |
摘要 |
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Abtasten der Kapazität als Funktion der zweidimensionalen Struktur einer dielektrischen oder teilweise dielektrischen Materialprobe mittels der Spitze einer Sonde eines Rastermikroskops. Bei dem Verfahren ist vorgesehen, dass die Kapazitätsänderung während der Tastbewegung der Sonde von einer Position auf der Materialprobe zur nächsten Position als Strom gemessen und ausgewertet wird.
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申请公布号 |
DE102006013588(A1) |
申请公布日期 |
2007.09.27 |
申请号 |
DE20061013588 |
申请日期 |
2006.03.22 |
申请人 |
FACHHOCHSCHULE DEGGENDORF;INFINEON TECHNOLOGIES AG |
发明人 |
BENSTETTER, GUENTHER;BREITSCHOPF, PETER;KNOLL, BERNHARD THEO |
分类号 |
G01Q60/46 |
主分类号 |
G01Q60/46 |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
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地址 |
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