发明名称 Zweidimensinale Profilierung von Dotierungsprofilen einer Materialprobe mittels Rastersondenmikroskopie
摘要 Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Abtasten der Kapazität als Funktion der zweidimensionalen Struktur einer dielektrischen oder teilweise dielektrischen Materialprobe mittels der Spitze einer Sonde eines Rastermikroskops. Bei dem Verfahren ist vorgesehen, dass die Kapazitätsänderung während der Tastbewegung der Sonde von einer Position auf der Materialprobe zur nächsten Position als Strom gemessen und ausgewertet wird.
申请公布号 DE102006013588(A1) 申请公布日期 2007.09.27
申请号 DE20061013588 申请日期 2006.03.22
申请人 FACHHOCHSCHULE DEGGENDORF;INFINEON TECHNOLOGIES AG 发明人 BENSTETTER, GUENTHER;BREITSCHOPF, PETER;KNOLL, BERNHARD THEO
分类号 G01Q60/46 主分类号 G01Q60/46
代理机构 代理人
主权项
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