| 发明名称 | 薄膜形成装置及其方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种薄膜形成装置，提高靶材料的利用率、生产节拍时间、维修性能以及成膜精度。所述薄膜形成装置包括：真空室；保持靶材料的溅射阴极；搭载用于堆积被溅射的靶材料的基板的搭载单元；以及搭载单元的搬运机构；在搬运机构中，按照使基板通过靶材料的前面的方式设置搬运路径，搭载单元由可连接并保持多个基板的基板托盘构成。 | ||
| 申请公布号 | CN101044260A | 申请公布日期 | 2007.09.26 |
| 申请号 | CN200580036142.2 | 申请日期 | 2005.01.24 |
| 申请人 | 株式会社昭和真空 | 发明人 | 藤原隆行;永井和芳 |
| 分类号 | C23C14/34(2006.01);H01L41/09(2006.01);H01L41/18(2006.01);H01L41/22(2006.01);H03H3/02(2006.01) | 主分类号 | C23C14/34(2006.01) |
| 代理机构 | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 田军锋;王爱华 |
| 主权项 | 1.一种薄膜形成装置，包括：真空室；保持靶材料的溅射阴极；搭载用于堆积被溅射的所述靶材料的基板的搭载单元；以及所述搭载单元的搬运机构，其特征在于，在所述搬运机构中，以所述基板通过所述靶材料前面的方式设置搬运路径，所述搭载单元由连接并保持多个所述基板的基板托盘构成。 | ||
| 地址 | 日本神奈川县 | ||