半导体晶圆表面保护用粘合薄膜及使用该粘合薄膜的半导体晶圆保护方法

摘要

本发明涉及一种半导体晶圆表面保护用粘合薄膜及使用该粘合薄膜的半导体晶圆保护方法。所述半导体晶圆表面保护用粘合薄膜在熔点至少为200℃、厚度为10～200μm的基材薄膜表里两面形成了150℃下的储能模量至少为1×10⁵Pa、厚度为3～100μm的粘合剂层。根据本发明，在进行半导体晶圆背面研削及除去在背面生成的破碎层等处理的过程中，即使在半导体晶圆被薄层化至厚度为100μm或100μm以下的情况下，也可以防止半导体晶圆的破损及污染等。

主权项

1.一种半导体晶圆表面保护用粘合薄膜，其特征为在熔点至少为200℃、厚度为10～200μm的基材薄膜的表里两面形成了在150℃下储能模量为1×105Pa或1×105Pa以上、1×107Pa或1×107Pa以下、厚度为3～100μm的粘合剂层，该粘合薄膜具有的粘合力换算成相对于SUS304-BA板的粘合力为5～500g/25mm。