| 发明名称 | 一种半导体器件 | ||
| 摘要 | 提供一种半导体器件，该半导体器件包括形成于半导体芯片上的第一金属膜，形成于所述第一金属膜上并由第二金属形成的球部分，以及所述第一金属和所述第二金属的合金层，该合金层在所述第一金属膜和所述球部分之间形成，其中所述合金层达到所述第一金属膜的底部，并且所述球部分用树脂覆盖；以及该半导体器件的制造方法。本发明使得能够改进键合焊盘部分和互连上键合线的球部分之间的粘附，从而提高半导体器件的可靠性。 | ||
| 申请公布号 | CN100339986C | 申请公布日期 | 2007.09.26 |
| 申请号 | CN03120225.X | 申请日期 | 2003.03.07 |
| 申请人 | 株式会社日立制作所;日立超大规模集成电路系统株式会社 | 发明人 | 中岛靖之;守田俊章;松泽朝夫;友井晴一;川邉直树 |
| 分类号 | H01L23/48(2006.01);H01L21/60(2006.01) | 主分类号 | H01L23/48(2006.01) |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 王永刚 |
| 主权项 | 1.一种半导体器件，包括：(a)形成于半导体芯片上方的第一金属膜；(b)形成于所述第一金属膜上并由第二金属构成的球部分；(c)由所述第一金属和所述第二金属构成的合金层，该合金层形成在所述第一金属膜和所述球部分之间，(d)其中所述合金层达到所述第一金属膜的底部，以及(e)其中所述球部分用树脂覆盖，其中所述合金层按照从底层开始的顺序，具有AlAu2膜，Al2Au5膜和AlAu4膜。 | ||
| 地址 | 日本东京 | ||