发明名称 |
薄膜晶体管基板的制造方法 |
摘要 |
本发明公开一种薄膜晶体管基板的制造方法,其步骤包括:提供一绝缘基底;在该绝缘基底上形成栅极;在该绝缘基底与栅极上依序形成一栅极绝缘层、一半导体层和一源/漏极金属层;在一道光罩制程中,对该源/漏极金属层、半导体层曝光、显影及蚀刻而形成一源极、漏极和一沟槽;在该栅极绝缘层、源极、漏极和沟槽上依序形成一钝化层和一光阻层;对该光阻层和该钝化层曝光、显影及蚀刻而形成一光阻图案和一钝化层图案;在该光阻图案、漏极与栅极绝缘层上沉积一透明导电金属层,并且移除该光阻图案形成像素电极。本发明的制造方法可节省二道光罩制程,因此简化制程,降低成本。 |
申请公布号 |
CN101043025A |
申请公布日期 |
2007.09.26 |
申请号 |
CN200610060013.3 |
申请日期 |
2006.03.22 |
申请人 |
群康科技(深圳)有限公司;群创光电股份有限公司 |
发明人 |
傅健忠 |
分类号 |
H01L21/84(2006.01) |
主分类号 |
H01L21/84(2006.01) |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
1.一种薄膜晶体管基板制造方法,其步骤包括:提供一绝缘基底;在该绝缘基底上沉积一栅极金属层;在第一道光罩制程中,曝光、显影及蚀刻形成预定图案的栅极;在该绝缘基底与栅极上依序形成一栅极绝缘层、一半导体层及一源/漏极金属层;在第二道光罩制程中,对该源/漏极金属层、半导体层曝光、显影及蚀刻以形成一源极、漏极及一沟槽;在该栅极绝缘层、源极、漏极及沟槽上依序形成一钝化层及一光阻层;对该光阻层及该钝化层曝光、显影及蚀刻以形成一光阻图案及一钝化层图案;于该光阻图案、漏极与栅极绝缘层上沉积一透明导电金属层,并移除该光阻图案形成像素电极。 |
地址 |
518109广东省深圳市宝安区龙华镇富士康科技工业园E区4栋1层 |