| 发明名称 | 反熔丝及其程式化方法 | ||
| 摘要 | 一种反熔丝，由衬底、栅极及栅介电层构成。栅极位于衬底上。栅介电层位于栅极及衬底之间。此反熔丝的程式化方法是施加一偏压于栅极与衬底之间，造成栅介电层击穿，使击穿后的栅极至衬底的电阻值小于击穿前的栅极至衬底的电阻值。应用此反熔丝可以减少熔丝需要的芯片面积，并可以在芯片封装后进行程式化。 | ||
| 申请公布号 | CN101043027A | 申请公布日期 | 2007.09.26 |
| 申请号 | CN200610068023.1 | 申请日期 | 2006.03.23 |
| 申请人 | 联华电子股份有限公司 | 发明人 | 吴炳昌 |
| 分类号 | H01L23/525(2006.01);H01L29/78(2006.01) | 主分类号 | H01L23/525(2006.01) |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 陶凤波;侯宇 |
| 主权项 | 1.一种反熔丝结构，包括：一衬底；一栅极，位于该衬底上；以及一栅介电层，位于该栅极及该衬底之间。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹科学工业园区 | ||