发明名称 |
基于FET的气体传感器 |
摘要 |
本发明涉及一种基于FET的气体传感器,其由气敏层和基准层构成,其逸出功的变化控制场效应结构,其中这两个层的材料彼此彼此相协调,使得对于目标气体不会发生逸出功变化,而对于无需检测的气体所产生的选出功变化被消除。 |
申请公布号 |
CN101044395A |
申请公布日期 |
2007.09.26 |
申请号 |
CN200580017461.9 |
申请日期 |
2005.04.21 |
申请人 |
迈克纳斯公司 |
发明人 |
迈克斯米连·弗雷切尔;乌韦·兰普;汉斯·梅科斯尼尔;罗兰德·普勒;西蒙·埃尔弗里德 |
分类号 |
G01N27/414(2006.01) |
主分类号 |
G01N27/414(2006.01) |
代理机构 |
中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 |
代理人 |
李勇 |
主权项 |
1.一种基于FET的气体传感器,由至少一个场效应晶体管、一个气敏层和一个基准层组成,其中利用当注入气体时在相应的层材料上所产生的逸出功变化来控制场效应结构,其中这两个层的材料以下述方式彼此相协调:-气敏层和基准层对于要检测的气体或者对于至少一种干扰气体的各自的气体敏感度不同,或者-所述气体敏感度不仅对于要检测的气体,而且对于至少一种干扰气体均不同,并且-通过将这两个层的信号组合起来,可生成一个组合信号,与气敏层信号相对于干扰信号相比,这个组合信号在整个传感器对要检测的气体的气体敏感度方面与干扰信号之间有更大的距离。 |
地址 |
德国弗赖堡 |