| 发明名称 | 叠层布线和利用该叠层布线的半导体器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 提供一种由微晶硅薄膜和金属薄膜构成的叠层布线，该叠层布线能够抑制微晶硅薄膜和金属薄膜之间的过多硅化物生成反应，由此防止发生薄膜脱落。在利用叠层布线的多晶硅TFT(薄膜晶体管)中，微晶硅薄膜被构造，使得微晶硅薄膜中的、在微晶硅薄膜的膜厚度方向上的长度为微晶硅薄膜的膜厚度的60％或更大的晶粒，总计为晶粒总数的15％或更少；或者使得微晶硅薄膜中的、在微晶硅薄膜的膜厚度方向上的长度为微晶硅薄膜的膜厚度的50％或更小的晶粒，总计为构成微晶硅薄膜的晶粒总数的85％或更多。 | ||
| 申请公布号 | CN101043049A | 申请公布日期 | 2007.09.26 |
| 申请号 | CN200710088746.2 | 申请日期 | 2007.03.22 |
| 申请人 | 日本电气株式会社;NEC液晶技术株式会社 | 发明人 | 田中淳;加纳博司 |
| 分类号 | H01L29/49(2006.01);H01L29/786(2006.01);H01L23/532(2006.01);H01L21/28(2006.01);H01L21/336(2006.01);H01L21/768(2006.01) | 主分类号 | H01L29/49(2006.01) |
| 代理机构 | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 梁晓广;陆锦华 |
| 主权项 | 1.一种叠层布线，包括：微晶硅薄膜；以及在所述微晶硅薄膜上形成的金属薄膜，其中构成所述微晶硅薄膜的晶体结构的、在所述微晶硅薄膜的膜厚度方向上的长度为所述微晶硅薄膜的膜厚度的60％或更大的晶粒，总计为晶粒总数的15％或更少。 | ||
| 地址 | 日本东京 | ||