发明名称 薄膜的制造方法和薄膜
摘要 本发明薄膜的制造方法,是在将高分子基体材料开卷后,将金属蒸气化,在高分子基体材料表面上形成无机化合物层时,导入氧气,在含有有机硅化合物的气体激发气氛中形成无机化合物层。本发明的薄膜的制造方法可以制造出对氧气、水蒸气等具有高阻气性的薄膜。
申请公布号 CN101044255A 申请公布日期 2007.09.26
申请号 CN200580035808.2 申请日期 2005.10.13
申请人 东丽株式会社 发明人 广田草人;立石康
分类号 C23C14/06(2006.01);B32B9/00(2006.01) 主分类号 C23C14/06(2006.01)
代理机构 北京市中咨律师事务所 代理人 段承恩;田欣
主权项 1.一种薄膜的制造方法,在将高分子基体材料开卷后,将金属蒸气化,在高分子基体材料表面上形成无机化合物层时,导入氧气,在含有有机硅化合物的气体激发气氛中形成无机化合物层。
地址 日本东京都