| 发明名称 | 铌烧结体及其生产方法以及使用这种铌烧结体的电容器 | ||
| 摘要 | 一种铌烧结体，它是以这样的方式制备的：在烧结过程中将铌粉末在温度500℃-2000℃下烧结并在最高烧结温度下持续60分钟至150分钟。本发明的铌烧结体的特点在于每单位质量的电容(C)和形成电压(V)的乘积(CV)为90,000μF·V/g或更大，而所述铌粉末的初级粒子的平均粒径(D<SUB>50</SUB>)和漏电流(LC)二者之积除以所述CV所得到的值为5×10<SUP>-4</SUP>μm·μA/(μF·V)或更小。而且可提供一种即具有优选的低漏电流值又有大电容的良好平衡的电容器，即一种高度可靠的电容器。 | ||
| 申请公布号 | CN100339917C | 申请公布日期 | 2007.09.26 |
| 申请号 | CN01808296.3 | 申请日期 | 2001.04.20 |
| 申请人 | 昭和电工株式会社 | 发明人 | 内藤一美;河边功 |
| 分类号 | H01G9/052(2006.01) | 主分类号 | H01G9/052(2006.01) |
| 代理机构 | 北京市中咨律师事务所 | 代理人 | 于静;李峥 |
| 主权项 | 1.一种通过烧结铌粉末制备的铌烧结体，这里每单位质量的电容C与形成电压V的乘积CV是90,000μF·V/g或更大，铌粉末初级粒子的平均粒径和漏电流的乘积除以CV值所得到的值是5×10-4μm·μA/(μF·V)或更小。 | ||
| 地址 | 日本东京 | ||