| 发明名称 | 半导体器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 在半导体基板(1)的上方形成含有催化剂金属的多个起点图案(3)。然后，形成覆盖起点图案(3)的绝缘膜(4)。接着，在绝缘膜(4)上形成从两端露出起点图案(3)的侧面的沟槽。然后，通过在沟槽内使具有导电性的手性的碳纳米管(5)成长，从而形成配线。然后，形成覆盖碳纳米管(5)的层间绝缘膜。 | ||
| 申请公布号 | CN101044605A | 申请公布日期 | 2007.09.26 |
| 申请号 | CN200480044199.2 | 申请日期 | 2004.10.22 |
| 申请人 | 富士通株式会社 | 发明人 | 置田阳一 |
| 分类号 | H01L21/3205(2006.01);H01L29/786(2006.01);H01L29/06(2006.01);B82B3/00(2006.01) | 主分类号 | H01L21/3205(2006.01) |
| 代理机构 | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人 | 张龙哺 |
| 主权项 | 1.一种半导体器件，其特征在于，具有：半导体基板；绝缘膜，其形成在上述半导体基板的上方，并在其内部形成有沟槽；配线，其由形成在上述沟槽内的碳纳米管构成。 | ||
| 地址 | 日本神奈川县 | ||