| 发明名称 | 光照射和结晶的装置及方法，半导体器件和光调制元件 | ||
| 摘要 | 一种光照射装置包括光调制元件，该元件对入射光的相位进行调制，从中发射已调制光；以及图像形成光学系统，排列在所述光调制元件和所述照射目标平面之间，并且形成所发射的光的图像，利用具有所述预定光强度的光照射所述照射目标平面。所述光调制元件在一个单元区内有包括第一面积比改变结构和第二面积比改变结构的多个面积比改变结构。所述第一面积比改变结构具有其中面积份额比在第一方向变化的至少一个第一相位调制区。并且所述第二面积比改变结构具有其中面积份额比在不同于所述第一方向的第二方向上变化的至少一个第二相位调制区。 | ||
| 申请公布号 | CN101042984A | 申请公布日期 | 2007.09.26 |
| 申请号 | CN200710084729.1 | 申请日期 | 2007.02.26 |
| 申请人 | 株式会社液晶先端技术开发中心 | 发明人 | 谷口幸夫;松村正清 |
| 分类号 | H01L21/00(2006.01);H01L21/20(2006.01);H01L21/268(2006.01);H01L21/336(2006.01);G02F1/00(2006.01);B23K26/06(2006.01) | 主分类号 | H01L21/00(2006.01) |
| 代理机构 | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人 | 王英 |
| 主权项 | 1.一种光照射装置，该装置利用具有一个光强度分布的光照射照射目标平面，其特征在于包括：光调制元件，该元件对入射光的相位进行调制，从中发射已调制光；以及图像形成光学系统，该系统排列在所述光调制元件和所述照射目标平面之间，并且形成所发射的光的图像，利用具有所述预定光强度的光照射所述照射目标平面，其中所述光调制元件在一个单元区内有包括第一面积比改变结构和第二面积比改变结构的多个面积比改变结构；所述第一面积比改变结构具有其中面积份额比在第一方向变化的至少一个第一相位调制区；并且所述第二面积比改变结构具有其中面积份额比在不同于所述第一方向的第二方向上变化的至少一个第二相位调制区。 | ||
| 地址 | 日本神奈川县 | ||