| 发明名称 | 具有改善的较小正向电压损耗的半导体器件以及制作方法 | ||
| 摘要 | 揭示一种半导体器件。这半导体器件包括一个或多个电荷控制电极的多个电荷控制电极。这些一个或多个电荷控制电极可控制半导体器件漂移区内的电场。 | ||
| 申请公布号 | CN100339959C | 申请公布日期 | 2007.09.26 |
| 申请号 | CN02825190.3 | 申请日期 | 2002.10.16 |
| 申请人 | 费查尔德半导体有限公司 | 发明人 | C·B·科康 |
| 分类号 | H01L21/336(2006.01);H01L31/119(2006.01) | 主分类号 | H01L21/336(2006.01) |
| 代理机构 | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人 | 张政权 |
| 主权项 | 1、一种半导体器件，其特征在于，包括：a)半导体基底；b)在该半导体基底中的第一导电型的第一区；c)在该半导体基底中的第二导电型的第二区，该第一和第二区在其间形成pn结。d)多个电荷控制电极，其与该半导体基底相结合以影响在第一和第二区中的一个区中的电场，其中多个电荷控制电极中至少两个是彼此电隔绝的，以便施加彼此不同的偏压；以及e)设置在各个电荷控制电极周围的电介质材料。 | ||
| 地址 | 美国缅因州 | ||