| 发明名称 | 氮化物半导体发光器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明披露了一种氮化物半导体发光器件，包括：一个或多个AlInN层；形成在该AlInN层上方的In掺杂的氮化物半导体层；形成在该In掺杂的氮化物半导体层上方的第一电极接触层；形成在该第一电极接触层上方的有源层；以及形成在该有源层上方的p型氮化物半导体层。根据所述氮化物半导体发光器件，有源层的晶体缺陷被抑制，使得氮化物半导体发光器件的可靠性增加，并使得光输出增大。 | ||
| 申请公布号 | CN101044633A | 申请公布日期 | 2007.09.26 |
| 申请号 | CN200580035544.0 | 申请日期 | 2005.10.06 |
| 申请人 | LG伊诺特有限公司 | 发明人 | 孙孝根;李昔宪 |
| 分类号 | H01L33/00(2006.01) | 主分类号 | H01L33/00(2006.01) |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人 | 顾晋伟;刘继富 |
| 主权项 | 1.一种氮化物半导体发光器件，包含：一个或多个AlInN层；形成在所述AlInN层上方的In掺杂的氮化物半导体层；形成在所述In掺杂的氮化物半导体层上方的第一电极接触层；形成在所述第一电极接触层上方的有源层；和形成在所述有源层上方的p型氮化物半导体层。 | ||
| 地址 | 韩国首尔 | ||