| 发明名称 | 降低编程边界的可编程非易失性存储元件与其测试方法 | ||
| 摘要 | 本发明是提出一种可降低使用者编程操作的编程边界的可编程非易失性存储元件与其测试方法。此存储元件包括多个存储单元，每个存储单元具有初始临界电压。在测试编程操作中，每个存储单元被编程至具有大于初始临界电压最大值的第一临界电压，使得使用者编程操作所需的编程边界(program margin)即可降低，存储元件的大小与成本亦可降低。当存储元件测试合格时，存储元件是直接用于使用者编程操作，毋须进行抹除操作。 | ||
| 申请公布号 | CN101042936A | 申请公布日期 | 2007.09.26 |
| 申请号 | CN200610154301.5 | 申请日期 | 2006.09.20 |
| 申请人 | 旺宏电子股份有限公司 | 发明人 | 陈重光 |
| 分类号 | G11C16/34(2006.01);G11C29/00(2006.01) | 主分类号 | G11C16/34(2006.01) |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 黄小临;王志森 |
| 主权项 | 1.一种可降低使用者编程操作的编程边界的可编程非易失性存储器元件，包括：多个存储单元，各该些存储单元具有初始临界电压，其中各该些存储单元经测试编程操作后具有第一临界电压，该些第一临界电压是大于该些初始临界电压的最大值，且经该测试编程操作的该些存储单元是直接进行使用者编程操作。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹科学工业园区 | ||