发明名称 |
透过式兼输出镜的半导体可饱和吸收镜 |
摘要 |
一种透过式兼输出镜的半导体可饱和吸收镜,其特征在于,其中包括:一半绝缘衬底;在半绝缘衬底的下面镀有高反膜;一缓冲层,该缓冲层制作在半绝缘衬底上;一吸收区,该吸收区制作在缓冲层上;一增透膜,该增透膜镀在吸收区上。本发明可由于固体激光器的被动锁模,实现超短脉冲激光的输出。 |
申请公布号 |
CN100340037C |
申请公布日期 |
2007.09.26 |
申请号 |
CN200410046062.2 |
申请日期 |
2004.06.03 |
申请人 |
中国科学院半导体研究所 |
发明人 |
王勇刚;马骁宇 |
分类号 |
H01S3/098(2006.01);G02B1/02(2006.01);G02B1/00(2006.01) |
主分类号 |
H01S3/098(2006.01) |
代理机构 |
中科专利商标代理有限责任公司 |
代理人 |
汤保平 |
主权项 |
1、一种透过式兼输出镜的半导体可饱和吸收镜,其特征在于,其中包括:一半绝缘衬底;在半绝缘衬底的下面镀有高反膜;一缓冲层,该缓冲层制作在半绝缘衬底上;一吸收区,该吸收区制作在缓冲层上;一增透膜,该增透膜镀在吸收区上。 |
地址 |
100083北京市海淀区清华东路甲35号 |