| 发明名称 | 半导体装置及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种半导体装置及其制造方法。减小具有异质结的半导体装置的场效应晶体管的阻抗。形成从多晶硅异质半导体区(与形成在SiC的基底区上的漏区形成异质结)的表面延伸到漏区的沟槽。此外，在远离沟槽的侧壁的位置形成栅绝缘膜、异质半导体区以及漏区相接处的场效应晶体管的驱动点。 | ||
| 申请公布号 | CN101043054A | 申请公布日期 | 2007.09.26 |
| 申请号 | CN200710086928.6 | 申请日期 | 2007.03.22 |
| 申请人 | 日产自动车株式会社 | 发明人 | 下井田良雄;林哲也;田中秀明;山上滋春;星正胜 |
| 分类号 | H01L29/78(2006.01);H01L29/267(2006.01);H01L21/336(2006.01) | 主分类号 | H01L29/78(2006.01) |
| 代理机构 | 北京林达刘知识产权代理事务所 | 代理人 | 刘新宇;权鲜枝 |
| 主权项 | 1.一种半导体装置，其包括：第一导电型的半导体基底，所述半导体基底内形成有沟槽；异质接合形成部分，其与所述半导体基底的主表面相接，并与所述半导体基底形成异质结；栅电极，其设置为通过栅绝缘膜与所述异质接合形成部分与所述半导体基底的接合端邻接；源电极，其连接到所述异质接合形成部分；漏电极，其连接到所述半导体基底；以及所述半导体基底的驱动点，所述栅绝缘膜、所述异质接合形成部分以及所述半导体基底在所述驱动点处相接，所述驱动点位于离开所述沟槽侧壁的位置。 | ||
| 地址 | 日本神奈川县 | ||