| 发明名称 | 用于制造具有蚀刻终止层的绝缘体上硅（SOI）晶片的方法 | ||
| 摘要 | 公开具有覆盖在埋氧层(120)上的蚀刻终止层(130)的绝缘体上硅(SOI)晶片的实施例以及该晶片的制造方法的实施例。该蚀刻终止层可以包括氮化硅、氮掺杂二氧化硅或氮氧化硅以及这些材料的一些组合。还描述和要求其它实施例。 | ||
| 申请公布号 | CN101044611A | 申请公布日期 | 2007.09.26 |
| 申请号 | CN200580035507.X | 申请日期 | 2005.11.09 |
| 申请人 | 英特尔公司 | 发明人 | P·托尔钦斯基;M·吉尔斯;M·麦斯维尼;M·沙赫恩;I·亚布洛克 |
| 分类号 | H01L21/762(2006.01);H01L21/318(2006.01);H01L21/265(2006.01);H01L21/78(2006.01);H01L21/316(2006.01);H01L21/82(2006.01) | 主分类号 | H01L21/762(2006.01) |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 曾祥夌;梁永 |
| 主权项 | 1.一种方法，包括在绝缘体上硅(SOI)晶片中形成蚀刻终止层，所述蚀刻终止层覆盖在所述SOI晶片的绝缘层上。 | ||
| 地址 | 美国加利福尼亚州 | ||