| 发明名称 | 使用臭氧处理类晶片物体 | ||
| 摘要 | 本发明涉及用臭氧处理类晶片物体(例如，具有暴露铜部件和/或包含低k电介质材料)的方法。在某些优选实施例中，还使用碱用于处理类晶片物体。 | ||
| 申请公布号 | CN101044602A | 申请公布日期 | 2007.09.26 |
| 申请号 | CN200580036238.9 | 申请日期 | 2005.09.13 |
| 申请人 | FSI国际公司 | 发明人 | 库尔特·K·克里斯腾森;菲利普·G·克拉克 |
| 分类号 | H01L21/311(2006.01);G03F7/42(2006.01);C11D11/00(2006.01);H01L21/00(2006.01) | 主分类号 | H01L21/311(2006.01) |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 秦晨 |
| 主权项 | 1.处理一个或多个类晶片物体的方法，包括使臭氧在pH大于大约7.5的条件下与一个或多个类晶片物体接触的步骤。 | ||
| 地址 | 美国明尼苏达 | ||