| 发明名称 | 缩小光刻胶接触孔图案的临界尺寸的方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种在半导体器件的光刻过程中缩小用于形成接触孔的光刻胶图案的临界尺寸，从而允许得到临界尺寸在90nm以下的接触孔图案的方法。所述方法包括a)在衬底上涂覆光刻胶，形成光刻胶层；b)利用具有预定图案的掩模对光刻胶层进行曝光；c)在曝光后的光刻胶层上涂布光酸抑制剂；d)对涂布有光酸抑制剂的光刻胶层进行曝光后烘烤；和e)利用显影剂对经上述处理的光刻胶层进行显影，得到临界尺寸缩小的接触孔图案。 | ||
| 申请公布号 | CN101042536A | 申请公布日期 | 2007.09.26 |
| 申请号 | CN200610024870.8 | 申请日期 | 2006.03.20 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 发明人 | 崔彰日 |
| 分类号 | G03F7/20(2006.01);G03F7/38(2006.01);G03F1/00(2006.01);H01L21/027(2006.01) | 主分类号 | G03F7/20(2006.01) |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人 | 顾晋伟;刘继富 |
| 主权项 | 1.一种缩小光刻胶接触孔图案的临界尺寸的方法，该方法包括以下步骤：a)在衬底上涂覆光刻胶，形成光刻胶层；b)利用具有预定图案的掩模对光刻胶层进行曝光；c)在曝光后的光刻胶层上涂布光酸抑制剂；d)对涂布有光酸抑制剂的光刻胶层进行曝光后烘烤；和e)利用显影剂对经上述处理的光刻胶层进行显影，得到临界尺寸缩小的接触孔图案。 | ||
| 地址 | 201203上海市浦东新区张江路18号 | ||