| 发明名称 | 具有相变存储单元的集成电路和对相变存储单元寻址的方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种集成电路，包括多个位线(b1)、多个字线(w1)、和连接在所述多个位线(b1)和字线(w1)的独立的位线/字线对之间的多个存储单元(MC)，用于在所述存储单元中存储数据。每一个存储单元(MC)包括选择单元(T)和可编程相变电阻器(R)。相变电阻的值比第一相变电阻(R<SUB>opt</SUB>)的值大，通过电源电压V<SUB>dd</SUB>除以通过所述第一相变电阻器(R<SUB>opt</SUB>)的最大驱动电流(Im)来定义所述第一相变电阻的值。 | ||
| 申请公布号 | CN101044577A | 申请公布日期 | 2007.09.26 |
| 申请号 | CN200580036076.9 | 申请日期 | 2005.10.17 |
| 申请人 | 皇家飞利浦电子股份有限公司 | 发明人 | 马特吉·H·R·兰赫斯特;亨特里希·G·A·赫伊津 |
| 分类号 | G11C16/02(2006.01) | 主分类号 | G11C16/02(2006.01) |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人 | 朱进桂 |
| 主权项 | 1.一种集成电路，包括：多个位线(bl)、多个字线(wl)、和连接在所述多个位线(bl)和字线(wl)的独立的位线/字线对之间的多个存储单元(MC)，用于在所述存储单元(MC)中存储数据；其中，每一个存储单元(MC)包括选择单元(T)和可编程相变电阻器(R)；其中，比率RPC·Im/Vdd＞1，其中，Rpc是相变电阻器(R)的电阻，Vdd是存储单元(M)的电源电压，以及Im是选择单元(T)的最大驱动电流(Im)。 | ||
| 地址 | 荷兰艾恩德霍芬 | ||