| 发明名称 | 新聚有机硅氧烷介电材料 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种薄膜，所述薄膜包含通过聚合具有式(I)的单体(其中R<SUB>1</SUB>为可水解基团，R<SUB>2</SUB>为极化性减小有机基团，R<SUB>3</SUB>为桥联烃基)以形成硅氧烷材料得到的组合物。本发明也涉及用于制备薄膜的方法。薄膜可用作集成电路装置中的低k电介质。新介电材料具有优良的平面化性能，导致在半导体衬底形态顶部良好的局部和全局平面性，这减小或消除在电介质和氧化物衬垫沉积后对化学机械平面化的需要。 | ||
| 申请公布号 | CN101044604A | 申请公布日期 | 2007.09.26 |
| 申请号 | CN200580036255.2 | 申请日期 | 2005.08.31 |
| 申请人 | 西雷克斯有限公司 | 发明人 | J·T·兰塔拉;J·波拉萨里;J·凯尔马;T·T·托马南;J·皮蒂凯南;N·哈克;A·哈德兹克 |
| 分类号 | H01L21/312(2006.01);C08G77/60(2006.01);H01B3/46(2006.01) | 主分类号 | H01L21/312(2006.01) |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 刘冬;韦欣华 |
| 主权项 | 1.一种薄膜，所述薄膜包含通过聚合具有式I的单体以形成硅氧烷材料得到的组合物：<img file="A2005800362550002C1.GIF" wi="575" he="294" />其中：R<sub>1</sub>为可水解基团，R<sub>2</sub>为极化性减小有机基团，和R<sub>3</sub>为桥联线形或分支烃基残基。 | ||
| 地址 | 芬兰埃斯波 | ||