发明名称 |
半导体存储装置 |
摘要 |
提供一种半导体存储装置,其包括:包括多个存储器单元用于存储数据的第一和第二单元阵列;读出放大器,其选择性地与第一和第二单元阵列中的任一个相连;第一预充电电路,用于将第一单元阵列中的一对位线设置为预定电压;第二预充电电路,用于将第二单元阵列中的一对位线设置为预定电压;第一开关电路,用于将读出放大器与第一单元阵列相连;第二开关电路,用于将读出放大器与第二单元阵列相连;和开关控制器,用于控制第一和第二开关电路的导通状态。在读出放大器不访问第一和第二单元阵列中的任一个的非选择状态下,开关控制器根据预先执行的待机状态中的电流检测的结果,控制第一和第二开关电路中的一个进入导通状态。 |
申请公布号 |
CN101042931A |
申请公布日期 |
2007.09.26 |
申请号 |
CN200710089397.6 |
申请日期 |
2007.03.23 |
申请人 |
恩益禧电子股份有限公司 |
发明人 |
广田卓哉;柳田崇雄 |
分类号 |
G11C11/4091(2006.01);G11C29/50(2006.01) |
主分类号 |
G11C11/4091(2006.01) |
代理机构 |
中原信达知识产权代理有限责任公司 |
代理人 |
关兆辉;陆锦华 |
主权项 |
1.一种半导体存储装置,其包括:第一和第二单元阵列,其包括多个存储器单元用于存储数据;读出放大器,其选择性地与第一和第二单元阵列中的任一个相连;第一预充电电路,用于将第一单元阵列中的一对位线设置为预定电压;第二预充电电路,用于将第二单元阵列中的一对位线设置为预定电压;第一开关电路,用于将所述读出放大器与第一单元阵列相连;第二开关电路,用于将所述读出放大器与第二单元阵列相连;和开关控制器,用于控制第一和第二开关电路的导通状态,其中,在所述读出放大器没有访问第一和第二单元阵列中的任一个的非选择状态下,所述开关控制器根据预先执行的待机状态中的电流检测的结果,控制第一和第二开关电路中的一个进入导通状态。 |
地址 |
日本神奈川 |