发明名称 |
等离子处理装置及其清洗方法 |
摘要 |
一种等离子处理装置及其等离子清洗方法,在消除对被处理衬底的粒子冲击提高成膜质量的同时,由简单的构成有效地除去处理室内的粒子降低装置成本。等离子处理装置,是包括:处理室;设置在上述处理室内的,支撑被处理衬底的衬底支撑部分;在上述处理室内部面对上述衬底支撑部分设置的,具有产生等离子的多个第1电极及第2电极的复合电极,向处理室内部提供原料气体的原料气体供给部分。还包括通过增大或减小形成在处理室内部的等离子区域的等离子区域增减器,通过等离子区域增减器增大或者是减小了的等离子区域的等离子,等离子清洗上述处理室内部的等离子清洗方法。 |
申请公布号 |
CN100339945C |
申请公布日期 |
2007.09.26 |
申请号 |
CN200410058831.0 |
申请日期 |
2004.07.30 |
申请人 |
夏普株式会社 |
发明人 |
波多野晃继 |
分类号 |
H01L21/00(2006.01);H01L21/205(2006.01);H01L21/3065(2006.01);H01L21/302(2006.01) |
主分类号 |
H01L21/00(2006.01) |
代理机构 |
中国专利代理(香港)有限公司 |
代理人 |
刘宗杰;叶恺东 |
主权项 |
1.一种等离子处理装置,其特征为:是在包括:处理室;设置在上述处理室内的,支撑被处理衬底的衬底支撑部分;在上述处理室内面对上述衬底支撑部分设置的,具有产生等离子的多个放电电极的复合电极;的等离子处理装置中,还包括:增大或减小形成在上述处理室内部的等离子区域的等离子区域增减器;通过上述等离子区域增减器增大或者是减小了的等离子区域的等离子,等离子清洗上述处理室内部的清洗器。 |
地址 |
日本大阪市 |