| 发明名称 | 化学机械抛光氧化硅和氮化硅的组合物与方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供可用于抛光在半导体晶片上的氧化硅和氮化硅的含水组合物，它包括以重量百分数计，0.01-5的两性离子化合物，0.01-5的羧酸聚合物，0.02-6的磨蚀剂，0-5的阳离子化合物和余量的水，其中该两性离子化合物具有下述结构：其中n为整数，Y包括氢或烷基，Z包括羧基、硫酸盐或氧，M包括氮、磷或硫原子，和X<SUB>1</SUB>、X<SUB>2</SUB>和X<SUB>3</SUB>独立地包括选自氢、烷基和芳基中的取代基。 | ||
| 申请公布号 | CN100339420C | 申请公布日期 | 2007.09.26 |
| 申请号 | CN200510052407.X | 申请日期 | 2005.02.25 |
| 申请人 | CMP罗姆和哈斯电子材料控股公司 | 发明人 | S·J·莱恩;B·L·米勒;C·余 |
| 分类号 | C08J5/14(2006.01);H01L21/304(2006.01) | 主分类号 | C08J5/14(2006.01) |
| 代理机构 | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人 | 陈文青 |
| 主权项 | 1.一种可用于抛光在半导体晶片上的氧化硅和氮化硅的含水组合物，它包括以重量百分数计，0.01-5的两性离子化合物，0.01-5的羧酸聚合物，0.02-6的磨蚀剂，0-5的阳离子化合物和余量的水，该两性离子化合物具有下述结构：<img file="C2005100524070002C1.GIF" wi="514" he="199" /> | ||
| 地址 | 美国特拉华 | ||