发明名称 用以侦测在半导体制程中之电荷效应之方法
摘要 一种半导体制程测试结构,其包括一闸极、一电荷捕捉层、以及一扩散区域。此测试结构系为一类电容结构,其中此电荷捕捉层会在不同制程步骤中捕捉电荷。一电荷泵电流可用以侦测在不同制程步骤中所产生之充电效应。
申请公布号 TW200735248 申请公布日期 2007.09.16
申请号 TW096101495 申请日期 2007.01.15
申请人 旺宏电子股份有限公司 发明人 吴昭谊;李明修;郭明昌
分类号 H01L21/66(2006.01) 主分类号 H01L21/66(2006.01)
代理机构 代理人 李贵敏
主权项
地址 新竹市新竹科学工业园区力行路16号