包含可变电阻元件之非挥发性半导体记忆装置之制造方法

摘要

本发明系提供一种能够抑制由于可变电阻体之PCMO结晶化程度之差异所造成之电阻值偏差，充分确保电路动作边限(margin)之非挥发性半导体记忆装置之制造方法。该半导体记忆装置系于上部电极与下部电极之间形成用以储存资料之可变电阻体，其制造方法系执行于不含氧之环境中溅射导电性之金属氧化物，形成前述可变电阻体之可变电阻体形成步骤。