非挥发性记忆体的抹除方法

摘要

一种非挥发性记忆体之抹除方法，此记忆体具备有第一导电型基底、设置于第一导电型基底中的第二导电型井区、设置于第二导电型井区上的第一导电型井区、及设置于第一导电型基底上的记忆胞，此记忆胞包含电荷陷入层与闸极。此抹除方法包括：于闸极施加第一电压，且于第一导电型基底施加第二电压，使第二导电型井区为浮置，其中第二电压足以产生基底热电洞效应，第一电压可使电洞注入电荷陷入层。