非挥发性记忆体的启始电压的重置方法

摘要

一种非挥发性记忆体的启始电压的重置方法，适用于由多个记忆胞所构成的非挥发性记忆体，各记忆胞包括一闸极与一电荷陷入层。此方法是以FN穿隧效应抹除非挥发性记忆体一段时间，直到抹除饱和，使非挥发性记忆体具有一致性的饱和启始电压值。