| 摘要 |
一种生产CMOS电路之方法，系用于生产第一类型和第二类型晶体管的方法，尤其是生产位于一个基体之上的薄膜晶体管的方法，本发明之方法具有下列步骤：a.在第一类型的晶体管后来的接触区域上，形成一种具有第一导电性类型的掺杂的半导体区域；b.在整个面积上，沉积一块第一本徵半导体层；c.对半导体岛上的掺杂区域进行激发，使得在本徵半导体层上，形成具有一个与第一导电性类型的接触区域；d.沉积一层栅极电介质；e.透过沉积一块第一导电层，并确定该层的形状，以产生一个栅极；f.透过使用掺杂体进行离子掺杂的方法，为一个第二类型的晶体管产生具有一个第二导电性类型的接触区域；g.沉积一层钝化层；h.打开接触缺口；以及i.沉积一层第二导电层，并形成其结构。 |
