记忆元件及记忆体

摘要

本发明系关于一种记忆元件及记忆体；也就是说，本发明系提供一种能够稳定地保持资讯之记忆元件。具有藉由磁性体之磁化状态而保持资讯之记忆层，对于该记忆层，透过中间层而设置磁化固定层，形成层积膜，藉由在层积方向，流动电流，而改变记忆层之磁化方向，对于记忆层而进行资讯之记录，在构成记忆元件之层积膜中，至少在记忆层，构成平面图案31之长轴LX之端部之曲率半径R满足R≦100nm的记忆元件。