| 摘要 |
本发明揭示一种于一积体电路(100)中定义图案之方法，该方法包括利用在一基板(108)之一第一区域(102)上进行微影蚀刻，于一第一光阻层中定义出复数个特征。该方法进一步包括利用间距增值法，针对该光阻层中的每一个特征，在一较低的遮罩层(116)中产生至少2个特征(120)。该等在该较低遮罩层(116)中的特征包含回圈端点(124)。该方法进一步包括以一第二光阻层(126)覆盖该基板(108)之一第二区域(104)，包括该较低遮罩层(116)中之该等回圈端点(124)。该方法进一步包括于该基板(108)中蚀刻一沟渠图案穿过该较低遮罩层之特征，而不蚀刻该第二区域(104)。该沟渠具有一沟渠宽度。 |
