发明名称 | 凹入式闸极电晶体元件的制作方法 | ||
摘要 | 本发明提供一种电晶体元件的制作方法,先于半导体基底中形成闸极沟渠;于沟渠侧壁上形成侧壁子;再于沟渠底部上形成底部氧化层;随后去除该侧壁子;于沟渠侧壁上形成汲极/源极掺杂区;然后去除底部氧化层,以于闸极沟渠内形成弧形沟渠底部;于闸极沟渠的沟渠侧壁以及弧形沟渠底部上形成一牺牲氧化层;进行乾蚀刻制程,蚀刻该牺牲氧化层,暴露出弧形沟渠底部;于暴露出来的该弧形沟渠底部上形成闸极介电层;最后于该闸极沟渠填入闸极材料层。 | ||
申请公布号 | TW200735224 | 申请公布日期 | 2007.09.16 |
申请号 | TW095108832 | 申请日期 | 2006.03.15 |
申请人 | 南亚科技股份有限公司 | 发明人 | 林瑄智;程谦礼 |
分类号 | H01L21/336(2006.01);H01L21/8234(2006.01);H01L29/78(2006.01) | 主分类号 | H01L21/336(2006.01) |
代理机构 | 代理人 | 许锺迪 | |
主权项 | |||
地址 | 桃园县龟山乡华亚科技园区复兴三路669号 |