嵌壁式闸极结构及其制备方法

摘要

一种嵌壁式闸极结构包含一半导体基板、一设置于该半导体基板中之沟渠、一设置于该沟渠内之闸氧化层以及一设置于该闸氧化层上之导电层，其中该沟渠内之半导体基板系呈一多层阶梯结构。该多层阶梯结构之各阶梯表面的闸氧化层厚度可不相同。此外，该嵌壁式闸极结构另包含复数个设置于该多层阶梯结构下方之半导体基板中的掺杂区，且各阶梯下之掺杂区之掺杂浓度及掺质种类可不相同。该多阶式闸极结构之载子通道的整体长度为该多层阶梯结构之宽度(W)及二倍高度(2H)之总和。