发明名称 |
低pH値之经化学机械研磨后之残余物移除用组成物及方法LOW PH POST-CMP RESIDUE REMOVAL COMPOSITION AND METHOD OF USE |
摘要 |
一种由具有化学机械研磨(CMP)后之残余物及污染物之一微电子装置上清洁该残余物及污染物之酸性组成物及方法。该酸性组成物包括界面活性剂、分散剂、含磺酸之烃及水。该组成物可达成该微电子装置表面有效清洁CMP后残余物及污染物料,而未毁损低k介电材料或铜互连材料。 |
申请公布号 |
TW200734448 |
申请公布日期 |
2007.09.16 |
申请号 |
TW096103825 |
申请日期 |
2007.02.02 |
申请人 |
尖端科技材料公司 |
发明人 |
杰佛里 巴尼斯 |
分类号 |
C11D1/12(2006.01);H01L21/306(2006.01) |
主分类号 |
C11D1/12(2006.01) |
代理机构 |
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代理人 |
赖经臣;宿希成 |
主权项 |
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地址 |
美国 |