| 摘要 |
本发明系一种IC晶片之厚度为100 μm以下之半导体装置，且具备半导体基板。以自半导体基板之表面至约5 μm以内之深度为元件形成区域，并且使半导体基板之总厚度为5 μm以上100 μm以下。于元件形成区域之正下方设置有吸取金属杂质之BMD层。因可于元件形成区域之正下方设置金属杂质之吸取区域，故于要求极薄化之装置中，可抑制由金属杂质污染引起之装置特性或可靠性之劣化，并且可谋求装置之良率稳定及提高。根据本发明，为对应于元件之大容量化，于要求装置晶片之层积化之装置或于IC卡等上要求IC晶片厚度之极薄化之装置等中，可抑制由金属杂质污染引起之装置特性劣化或可靠性劣化。 |
