| 发明名称 |
供III-V族半导体装置所用之电介质介面DIELECTRIC INTERFACE FOR GRUOP III-V SEMICONDUCTOR DEVICE |
| 摘要 |
本发明述及一种III-V族半导体装置及其制造方法。其中以硫族元素化物区作为一高-k电介质与一约束区之介面。 |
| 申请公布号 |
TW200735216 |
申请公布日期 |
2007.09.16 |
| 申请号 |
TW095143047 |
申请日期 |
2006.11.21 |
| 申请人 |
英特尔股份有限公司 |
发明人 |
贾斯丁 布雷斯科;苏门 戴塔;马克 杜西;詹姆士 布雷克威尔;马修 梅兹;杰克 卡瓦李耶罗;罗伯特 赵 |
| 分类号 |
H01L21/314(2006.01);H01L21/28(2006.01);H01L29/51(2006.01) |
主分类号 |
H01L21/314(2006.01) |
| 代理机构 |
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代理人 |
林志刚 |
| 主权项 |
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| 地址 |
美国 |
