发明名称 积体电路及积体电路之制造方法
摘要 本发明揭示一种利用现场蒸气产生技术(in-suit steam generation,ISSG)以降低矽及氧化矽区域中之氮浓度,且提供可预期之氧化矽厚度。
申请公布号 TW200735213 申请公布日期 2007.09.16
申请号 TW096106488 申请日期 2007.02.26
申请人 茂德科技股份有限公司(子公司) PROMOS TECHNOLOGIES PTE. LTD. 发明人 董忠;陈计良;陈庆华
分类号 H01L21/31(2006.01);H01L29/78(2006.01) 主分类号 H01L21/31(2006.01)
代理机构 代理人 王宗梅
主权项
地址 新加坡