发明名称 |
积体电路及积体电路之制造方法 |
摘要 |
本发明揭示一种利用现场蒸气产生技术(in-suit steam generation,ISSG)以降低矽及氧化矽区域中之氮浓度,且提供可预期之氧化矽厚度。 |
申请公布号 |
TW200735213 |
申请公布日期 |
2007.09.16 |
申请号 |
TW096106488 |
申请日期 |
2007.02.26 |
申请人 |
茂德科技股份有限公司(子公司) PROMOS TECHNOLOGIES PTE. LTD. |
发明人 |
董忠;陈计良;陈庆华 |
分类号 |
H01L21/31(2006.01);H01L29/78(2006.01) |
主分类号 |
H01L21/31(2006.01) |
代理机构 |
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代理人 |
王宗梅 |
主权项 |
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地址 |
新加坡 |