垂直式环绕闸极结构的半导体元件

摘要

本发明提出一种垂直式环绕闸极结构之半导体元件，此半导体元件包括：柱状基底、领氧化层、金属层、汲极区、接地线、源极区、位元线、字元线、闸极以及闸介电层。其中，接地线系配置于柱状基底之一开口中，并覆盖领氧化层与金属层，且电性连接于柱状基底。汲极区系配置于柱状基底顶部及开口上部中。闸极系配置于字元线、位元线与柱状基底之间。闸介电层系配置于闸极、源极区、汲极区、位元线与柱状基底之间。