电可重写非挥发性记忆元件及其制造方法

摘要

一种非挥发性记忆元件，包括：下电极；上电极；记录层，设置在该下电极与该上电极之间，且包含相变材料；及位线，直接设置在该上电极上。该位线形成得偏移该记录层。利用此构造，能够减少记录层与上电极之间的接触面积及上电极与位线之间的接触面积，而毋需上电极与位线之间提供层间绝缘膜。因此，能够抑制向位线的热辐射，同时毋需通孔来连接上电极与位线。